上海伊恩埃半导体取得一种射频发生器专利,延长射频发生器内部精密元器件的使用寿命:元器件

金融界2025年8月23日消息,国家知识产权局信息显示,上海伊恩埃半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种射频发生器”的专利,授权公告号CN223261836U,申请日期为2024年10月元器件

专利摘要显示,本实用新型公开了一种射频发生器,涉及射频技术领域元器件 。包括发生器外壳,所述发生器外壳的一侧安装有一片前挡板,发生器外壳背向所述前挡板所在的一侧固定连接有一片后盖板,所述前挡板和后盖板之间共同固定连接有一片水冷板,所述后盖板的表面设置有两个对称分布的水接头。本实用新型作为射频发生器直流部分和射频发生器射频部分的基础,在水冷板的内部设置水冷管,并通过水接头和外界连通,并在射频发生器运行过程中,通过其中一个水接头在水冷板中注入冷却水,并将吸收了热量的冷却水从另一个水接头中流出,从而让射频发生器中的工作环境保持较为稳定的工作温度,延长射频发生器内部精密元器件的使用寿命。

天眼查资料显示,上海伊恩埃半导体科技股份有限公司,成立于2022年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业元器件 。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海伊恩埃半导体科技股份有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目1次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息17条,此外企业还拥有行政许可2个。

来源:金融界

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